El procesamiento por láser UV pulsado se utiliza para perforar microagujeros en obleas de carburo de silicio (SiC) que soportan estructuras de transistores AlGaN/GaN. Se ha demostrado que la ablación láser directa con pulsos de nanosegundos proporciona una manera eficiente de crear orificios pasantes y ciegos en SiC de 400 µm de espesor. Al perforar, se forman aberturas en las almohadillas frontales, mientras que los orificios ciegos se detienen ~ 40 μm antes de la parte posterior y avanzaron hasta la almohadilla de contacto eléctrico mediante grabado con plasma posterior sin una máscara adicional. Las conexiones de baja inducción (vías) entre las almohadillas de la fuente del transistor y la tierra en la parte trasera se formaron mediante la metalización de los orificios. Se han procesado microvías con relaciones de aspecto de 5-6 en SiC de 400 µm. El flujo del proceso desde el diseño de la oblea hasta la perforación con láser está disponible, incluida una alineación automática del haz que permite una precisión de posicionamiento de ±1 µm con respecto a los patrones existentes en la oblea. Como lo demuestran las mediciones eléctricas de CC y RF, las tecnologías de vía asistidas por láser se han implementado con éxito en la fabricación de transistores de alta potencia de AlGaN/GaN.