El concepto básico detrás del despegue del láser es la diferencia en la absorción de la luz láser por una capa, generalmente un sustrato anfitrión, y la pila de películas que se separa. En el caso de los LED, por ejemplo, la capa epi de GaN tiene una banda prohibida de aproximadamente 3,3 eV, mientras que la energía de la banda prohibida de zafiro es de ~ 9,9 eV. La luz láser de longitud de onda corta pasa a través del zafiro y ablaciona el 

interfaz cuando se acopla con el GaN, liberando así los dos materiales. Para lograr un despegue exitoso, la calidad y el control del haz son importantes. En IPG, se implementan técnicas innovadoras de entrega de haz para lograr procesos de producción de alta velocidad y alto rendimiento.

Despegue con láser

Una fuente de luz láser se proyecta a través de un material transparente y se absorbe en un material adyacente en la parte posterior, como GaN en Sapphire. El plasma confinado en la interfaz da como resultado el despegue o la separación de los materiales.

Láseres pulsados ​​UV de 355 nm Despegue de polímero sobre vidrio

Transferencia de estructuras de dispositivos electrónicos basados ​​en obleas 3D y paneles de visualización de matriz activa basados ​​en polímeros como AMOLED para teléfonos inteligentes (polímero backplane). La figura muestra la separación de poliimida de 15 µm de espesor utilizando un láser escaneado de 355 nm .

Despegue avanzado monolítico en GaN

Las longitudes de onda más cortas/fotones de mayor energía se absorben mejor, lo que da como resultado una profundidad de penetración óptica menor en ciertos materiales como el GaN. Los pulsos UV se pueden usar para la separación de materiales semiconductores de película delgada cuando la profundidad de penetración del calor debe ser mínima.

qué son los láseres pulsados ​​UV de 355 nm: https://www.rfhtech.com/s9-series-3w-5w-10w-uv-laser_p9.html